一区二区欧美日韩动漫精品 ,欧美一区二区福利蜜桃

<del id="kgqia"></del>

SD11906/SD11907/SD11956和SD11957 1200V碳化硅SiC半橋功率模塊

發(fā)布時(shí)間：2024-02-20 11:46:51 瀏覽：583

　　Solitron Devices 推出的 SD11906、SD11907、SD11956 和 SD11957 1200V 碳化硅 (SiC) 半橋功率模塊，以最大限度地發(fā)揮 SiC 的優(yōu)勢，具有獨(dú)特的穩(wěn)健、簡單且具有成本效益的模塊格式。37mm x 25mm x 9mm 的外形只是競爭模塊尺寸和重量的一小部分。這種集成格式可最大限度地提高功率密度，同時(shí)通過引腳配置將環(huán)路電感降至最低，從而實(shí)現(xiàn)簡單的電源總線。

SD11906/SD11907/SD11956和SD11957 1200V 碳化硅SiC半橋功率模塊

　　SD11906/07/56/57 是半橋配置，具有兩個(gè) 1200V、低電阻DS(開)13mΩ SiC MOSFET。SD11906和SD11956具有續(xù)流 1200V SiC 肖特基二極管，與模塊內(nèi)部的 MOSFET 并聯(lián)。引腳配置將電源總線與柵極和源控制分開，以簡化電路板布局。

　　該系列專為要求苛刻的應(yīng)用而設(shè)計(jì)，例如基于航空電子設(shè)備的機(jī)電執(zhí)行器和功率轉(zhuǎn)換器。工作溫度為 -55°C 至 175°C，結(jié)構(gòu)包括銅基板和氮化鋁絕緣體，確保 TCE 匹配和高熱傳遞。隔離式集成溫度傳感可在SD11906和SD11907上提供高水平的溫度保護(hù)。

　　與同類最佳的硅MOSFET和IGBT相比，碳化硅具有出色的開關(guān)性能，且隨溫度的變化最小。由于能量損失和反向充電顯著降低，效率水平比硅更高，因此在打開和關(guān)閉階段需要的開關(guān)功率更高，所需的能量更少。結(jié)合高開關(guān)頻率，這意味著磁性元件更小，大大減輕了系統(tǒng)重量和尺寸。

相關(guān)產(chǎn)品推薦：

Solitron寬溫金屬封裝MOS管SD11702-650V

Solitron寬溫金屬封裝碳化硅二級管SD11800–1200V

更多Solitron Devices SiC MOSFET相關(guān)產(chǎn)品信息可咨詢立維創(chuàng)展。

上一篇: 可編程器件SPLD、CPLD、FPGA

下一篇: Lattice萊迪思ispMACH 4000V/Z系列低功耗超快CPLD解決方案

国产精品亚洲欧美大片在线观看_波多野成人无码精品电影_国产成人A∨激情视频厨房_欧美中文字幕在线第一页_99国产成人综合久久精品 _国产激情精品一区二区三区_国产高清无码_国产又粗又猛又大爽又黄视频

Solitron寬溫金屬封裝MOS管SD11702-650V

Solitron寬溫金屬封裝碳化硅二級管SD11800–1200V